Mevcut buluş, söz konusu n türü malzemenin, SnO2`den daha büyük bir bant aralığına ve/veya MgO gibi SnO2`den vakum seviyesine daha yakın olan bir iletim bant kenarına sahip olan bir yüzey kaplama malzemesinin en az bir yüzey kaplamasına sahip olan SnO2`yi içerdiği n türü bir malzeme ile temas halinde olan bir p türü malzemeyi içeren katı halde bir p-n hetero bağlantısı sağlamaktadır. Buluş, bu tarz bir p-n hetero bağlantısını içeren güneş pilleri veya foto sensörler gibi optoelektronik cihazları ve bu tarz bir hetero bağlantının veya cihazın imalatı için yöntemleri sunmaktadır.
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.