Sistem Patent
Patent Belgesi

Tek Basamakta Silisyum Katkılı Grafen Elektrot Hazırlama Metodu

Buluş Özeti

Bu buluş, enerji depolama sistemleri başta olmak üzere, tıp, elektronik cihazlar, opto-elektronik ve sensör teknolojilerinde kullanım alanı bulan, silisyum-katkılı grafen elektrot hazırlama metodu ile ilgili olup, çalışma elektrodunun üzerine katkılanması istenen silisyum ve/veya silisyum içeren fonksiyonel grupları içeren elektrolit çözeltisinin elektrokimyasal hücreye doldurulması, grafit içeren çalışma elektrodunun hazırlanarak elektrokimyasal hücreye daldırılması, potansiyostat ile belli aralıklarda değiştirilen potansiyel uygulanması, referans elektrot aracılığı ile çalışma elektrodu üzerindeki potansiyelin kontrol edilmesi, bilgisayar aracılığı ile çalışma elektrodu ve karşıt elektrot üzerine uygulanan potansiyelin kaydedilmesi, tek basamakta uygulanan anodik potansiyeller ile grafit içeren çalışma elektrodunda Silisyum-katkılanmış grafen oksidin elektrokimyasal olarak indirgenmesiyle sadece bir dönüşümlü voltamogramda tek basamakta silisyum katkılanmış grafen esaslı elektrodun elde edilmesi işlem adımlarını içeren elektrokimyasal hücreden oluşan bir dönüşümlü voltametri sisteminin kullanıldığı silisyum- katkılanmış grafen elektrot hazırlama yöntemini açıklamaktadır

IPC Sınıfları
H01M 4/139H01M 4/38H01M 4/587H01M 4/386
Taraflar
Buluş Sahibi
Yücel Şahin Metin Gençten Hürmüs Gürsu
Hak Sahibi
Yıldız Teknik Üniversitesi Döner Sermaye İşletme Müd Yıldız Yıldız Teknik Üniver W Beşiktaş İstanbul Türkiye
Vekil
Yavuz Tiryakioğlu (İstek Patent Ve Danışmanlık Hizmetleri Ltd. Şti.)

Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.