Bu buluş; sıcaklık sensörü ve kızılötesi algılama (IR) uygulamalarında yaygın olarak kullanılan CMOS-MEMS ve/veya MEMS tabanlı mikrobolometrelerde termal algılamayı arttırmaya yönelik yöntem ile ilgili olup, özelliği; çekme kuvvetinin etkisi ile iki ucu sabit ve en az bir iletken içeren çubuğun ortam sıcaklığına bağlı frekans değişimi (FS = Fr1-Fr2) grafiğindeki birinci tepe noktası (X) ve frekans değişimi (FS = Fr1-Fr2) grafiğindeki ikinci tepe noktasındaki (Y) mutlak değerlerin toplanması (10), birbirine yakın olan iki sabit çubuk arasına uygulanan çekme gücünün azaltılması sonucu sıcaklık frekans katsayısının (TCF) artması ve dolayısıyla toplam mutlak FS (X + mutlak Y) değernin artması (20), CMOS-MEMS veya MEMS teknolojisinde kullanılan rezonatörün hassasiyeti değiştirilmeden kalınlığının (W) değiştirelerek cihazın çalışma sıcaklığı ve k sabiti (rijitlik değeri) arasında optimizasyonun yapılması (30) işlem basamaklarını içermesidir.
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.