Piroelektrik Kızılötesi dedektörlerinde, kızılötesi ışımayı kolayca absorbe edebilen, algılayıcılığı ve duyarlılığı yüksek bir sensör sağlamak üzere, nanometre boyutlarında biriktirme ile piroelektrik kristalin metal oksit kaplanması yöntemi olup, özelliği; Silikon substratı (X9) üzerine silikon dioksit (X8) biriktirilmesi, Silikon dioksit (X7) üzerine silikon nitrit (X7) biriktirilmesi, Fotolitografi Özel Maske Dizaynı gerçekleştirilmesi, Silikon nitrit (X7) üzerine titanyum dioksit (X6) biriktirilmesi, Titanyum dioksit (X6) üzerine platin (X5) biriktirilmesi, Fotolitografi Özel Maske Dizaynı gerçekleştirilmesi, Platin (X5) üzerine Piroelektrik kristal (X4) büyütme uygulanması, Piroelektrik kristal (X4) üzerine krom (X3) biriktirme gerçekleştirilmesi, Krom (X3) üzerine nikel (X2) büyütme uygulanması, Fotolitografi Özel Maske Dizaynı gerçekleştirilmesi, Nikel (X2) üzerine vanadyum dioksit (X1) biriktirilmesi, Vanadyum dioksitin (X1) üzerine maske uygulayarak altın (X10) biriktirilmesi işlem adımlarını içermesidir.
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.