Bu buluş; yüksek elektron mobiliteli transistör (YEMT) aygıt için elektriksel izolasyon bölgesi oluşturma yöntemi ile ilgili olup, özellikle; kimyasal ve biyolojik sensör uygulamalarında kullanılan düşük voltaj değerlerinde (0- 10 V) çalışan galyum nitrat (GaN) temelli YEMT aygıtın (6) çevresiyle elektriksel izolasyonunu sağlamak için geliştirilen, geleneksel yöntemlerde karşılaşılan kaçak akım problemini ortadan kaldıran, elektriksel direnç değerini yaklaşık %10^6 oranında arttıran, basit ve pratik işlem adımları içeren plazma işlemi ile elektriksel izolasyon bölgesi (5) oluşturma yöntemi ile ilgilidir. TR 2020 14952 A1
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.
