Mevcut buluş, nBn biçiminde bir yapıya sahip olan ve aşağıdaki unsurları içeren bir yarı iletken bariyer foto-dedektörü açıklar: bir birinci enerji bant aralığının n-tipi foton soğurucu tabakası (102); bir orta bariyer tabaka (104), bir yarı iletken yapı olan bir ara tabaka (106); ve bir üçüncü enerji bant aralığının bir kontak tabakası (108), burada tabaka materyalleri, foton soğurucu tabakanın (102) birinci enerji bant aralığı, söz konusu orta bariyer tabakadan (104) daha dar olacak şekilde seçilir; burada söz konusu ara tabakanın (106) materyal bileşimi ve kalınlığı, azınlık taşıyıcıların bariyer tabakadan (104) kontak tabakasına (108) verimli bir şekilde tuzaklanmasını ve aktarımını oluşturmak üzere ara tabakanın valans bandı bariyer tabakadaki (104) valans bandının üzerinde olacak şekilde seçilir, bu şekilde kontak tabakasından (108) foton soğurucu tabakaya (102) bariyer tabakadan
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.
