Bu buluş; yüksek elektron mobiliteli transistör (YEMT) aygıtlar için geliştirilen dielektrik tabaka oluşturma yöntemi ile ilgili olup, özellikle; YEMT aygıtlarda ortaya çıkan yüzey kaçak akımlarını engelleyen bir SiO2 dielektrik tabaka (5) içeren, geleneksel plazma ile güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme (PGKBB) yöntemleri ile kaplanan SiN ve SiO2 dielektrik tabaka kaplamaları sırasında yarıiletken yapıya difüz ederek ve yüzeyde yer alan galyum (Ga) atomları ile bağ oluşturarak aygıt performansını azaltan yüksek enerjili hidrojen (H+) iyonların oluşumunu engelleyen ve hidrojen silseskioksan (HSK) inorganik malzemesi ile tüm aygıt elemanlarını her yönden örterek korozyonu engelleyen bir koruyucu katman (9) oluşturma yöntemi ile ilgilidir. TR 2022 019940 A2
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.