Buluş, metal oksit yarıiletken (MOS) sensörler alanı ile ilgili olup, üzerine biriktirme yöntemi kullanılarak gümüş (Ag) birleştirilmiş (interdigitated) elektrot (9) kontakları sayesinde, uygun maliyetli, hızlı tepkili, yüksek hassasiyetli, geniş bağıl nem algılama aralığına sahip, stabil, uzun ömürlü, hızlı toparlanabilen, oda sıcaklığında ve düşük gerilimle çalışabilen NiOx temelli bir nem sensörü (1) üretilmesine imkan sağlayan nem sensörü (1) üretme yöntemi ile ilgilidir. TR 2023 015192 A2
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.