Plazma hapsedilmesi için bir manyetik ayna makinesi (2100; 2200; 3100; 3200), bir açık alan-çizgi plazma hapsedilmesi alanını (2106) üretmek üzere düzenlenmiş birçok uzunlamasına yerleştirilmiş süper iletken bobini (2104, 2105, 2106a, 2106b) içerir, her iki uçtaki söz konusu plazma hapsedilmesi alanı (2106), söz konusu plazma hapsedilmesi alanının (2106) merkezi bir alanına (2110) göre artan manyetik akı yoğunluğuna sahip ilgili bir ayna alanı (2108) ile sınırlıdır, burada söz konusu birçok süper iletken bobinden bir süper iletken bobin (2105, 2106a, 2106b), söz konusu ayna alanına (2108) bitişik olarak yerleştirilir ve söz konusu süper iletken bobin (2105, 2106a, 2106b), söz konusu ayna alanı boyunca bir manyetik alan çizgisi (2112) ile kesişen bir düzlemde, söz konusu manyetik alan çizgisi (2112) boyunca bir yönde uzun bir şekle sahip bir enine kesite sahiptir.
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.