Buluş, bir ön bölgeye (1), taşıma cihazına (2) veya plaka malzemesine (13), besleme açıklığı (3), sisleme nozuluna (4), hacim doldurma nozuluna (6), lamba tavanı yoluyla nitrojen beslemesine (7) sahip eksimer lambasına, kuvars diskine veya UV-LED- birimine (9) sahip orta basınçlı cıva UV lambasına (8), sensörlü (10) rezidüel oksijen ölçüm sondasına sahip, UV kürleme veya eksimer VUV matlaştırma ve UV kürleme kombinasyonu için bir radyasyon kanalından oluşan tercihen yüksek saflıkta nitrojen olmak üzere soy gaz ile doldurulacak bir radyasyon kanalında < 100 ppm, < 50 ppm ve < 10 ppm düşük her uygulamada, özellikle lateral yönde eşit olarak dağıtılan minör rezidüel oksijen seviyesine ilişkin yüksek gereksinimlere neden olan, plaka veya levha formundaki substratlar üzerindeki akrilat ve metakrilat bazlı tabakaların UV çapraz bağlama işlemi ve fotokimyasal yüzey yapılandırması işlemi durumunda ve bir sızdırmazlık ağzı veya fırça veya benzeri (11) olarak tasarlanan çıkış tarafındaki gaz bariyeri olan panel formundaki substratların kaplanması durumunda veya bir labirent (15) olarak tasarlanan kaplı plaka malzemesinin radyasyonu durumunda radyasyon bölgesinin etkisiz hale getirilmesine yönelik bir cihaz ile ilgilidir, özelliği radyasyon kanalının (1) düz bir şekilde, sıvı kaplamaya zarar verilmeksizin soy gaz ve ürün yüzeyi arasında yüksek bir bağıl velositenin oluşturulacağı ve besleme açıklığının (3) ve çıkış tarafındaki gaz bariyerinin (11 veya 15), yüksekliği ayarlanabilen parçalardan (12) meydana geleceği şekilde tasarlanması ile karakterize edilir.
Bu kayıt TPMK resmi patent bültenlerinden derlenmiştir ve bilgilendirme amaçlıdır. Güncel hukuki durum (itiraz, devir, hükümsüzlük) için kapsamlı bir sicil incelemesi gerekir. Uzmanlarımızdan kapsamlı patent araştırması isteyin.