Buluş, metal oksit yarıiletken (MOS) sensörler alanı ile ilgili olup, üzerine biriktirme yöntemi kullanılarak gümüş (Ag) birleştirilmiş (interdigitated) elektrot (9) kontakları sayesinde, uygun maliyetli, hızlı tepkili, yüksek hassasiyetli, geniş bağıl nem algılama aralığına sahip, stabil, uzun ömürlü, hızlı toparlanabilen, oda sıcaklığında ve düşük gerilimle çalışabilen NiOx temelli bir nem sensörü (1) üretilmesine imkan sağlayan nem sensörü (1) üretme yöntemi ile ilgilidir. TR 2023 015192 A2
This record is compiled from official TPMK patent bulletins and is provided for information. The abstract text is as published, in Turkish. The current legal status (opposition, assignment, invalidation) requires a full register review. Ask our experts for a comprehensive patent search.