Bu buluş; yüksek elektron mobiliteli transistör (YEMT) aygıt için elektriksel izolasyon bölgesi oluşturma yöntemi ile ilgili olup, özellikle; kimyasal ve biyolojik sensör uygulamalarında kullanılan düşük voltaj değerlerinde (0- 10 V) çalışan galyum nitrat (GaN) temelli YEMT aygıtın (6) çevresiyle elektriksel izolasyonunu sağlamak için geliştirilen, geleneksel yöntemlerde karşılaşılan kaçak akım problemini ortadan kaldıran, elektriksel direnç değerini yaklaşık %10^6 oranında arttıran, basit ve pratik işlem adımları içeren plazma işlemi ile elektriksel izolasyon bölgesi (5) oluşturma yöntemi ile ilgilidir. TR 2020 14952 A1
This record is compiled from official TPMK patent bulletins and is provided for information. The abstract text is as published, in Turkish. The current legal status (opposition, assignment, invalidation) requires a full register review. Ask our experts for a comprehensive patent search.
